教員プロフィール 遠藤 治之 准教授（電力・制御系） 学位 博士（工学） 専門 半導体工学、パワーデバイス、センサ 所属学会 応用物理学会、電気学会、日本技術士会 その他 資格： 技術士（電気電子）電子応用、騒音防止技術者、放射線技術管理者2種、米国技術士（FE） 趣味等： ギター、釣りなど 担当科目 電気・電子工学実験Ⅲ、電磁エネルギー変換工学、技術者倫理 Webサイト パワーデバイス・センサ工学研究室 Researchmap ■研究テーマ ZnO系酸化物半導体を使用した電子デバイス開発 ■経歴 1984年 福島県立郡山北工業高等学校電子工学科 卒業 1988年 東北学院大学工学部電気工学科 卒業 1990年 東北学院大学大学院工学研究科電気工学専攻前期課程 修了 1990年 石塚電子株式会社入社 2002年 岩手県工業技術センター電子機械技術部入庁 2008年 東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻後期課程 修了 2022年 地方独立行政法人岩手県工業技術センター機能材料技術部長 2025年 東北学院大学工学部電気電子工学科 准教授 ■業績 著書 酸化亜鉛の最先端技術と将来（共著）シーエムシー出版、2011年、遠藤治之 原著論文 Fabrication and characterization of a Pt/MgZnO/ZnO Schottky photodiode utilizing a field plate structure, Japanese Journal of Applied Physics, 57, 04FG08, (2018), H. Endo, K. Takahashi, and Y. Kashiwaba Applicability of nitrogen-doped ZnO single crystals for photoconductive type UV sensors, Physica Status Solidi c, 11, 7-8, pp.1304-1307, (2014), S. Takahashi, T. Abe, A. Nakagawa, S. Kamata, T. Chiba, M. Nakagawa, Y. Kashiwaba, S. Chiba, H. Endo, K.Meguro, M. Daibo, I. Niikura, Y. Kashiwaba, S. Oshima, H. Osada Investigation of ZnO thin films deposited on ferromagnetic metallic buffer layer by molecular beam epitaxy toward realization of ZnO-based magnetic tunneling junctions, Journal of Applied Physics, 113, 17C106, (2013), M. Belmoubarik, T. Nozaki, H. Endo, M. Sahashi 15 Mcps photon-counting X-ray computed tomography system using a ZnO-MPPC detector and its application to gadolinium imaging, Applied Radiation and Isotopes, 70, 1, pp.336-340, (2012), E. Sato, S. Sugimura, H. Endo, Y. Oda, A. Abudurexiti, O. Hagiwara, A. Osawa, H. Matsukiyo, T. Enomoto, M. Watanabe, S. Kusachi, S. Sato, A. Ogawa, J. Onagawa Development of radiation sensor based on Pt/ZnO Schottky diode, 2011 IEEE Symposium on Nuclear Science, 12557401, (2011), S. Narita, Y. Nishibori, H. Naito, H. Ito, H. Endo, T. Chiba Fabrication and characterization of a ZnO X-ray sensor using a high-resistivity ZnO single crystal grown by the hydrothermal method, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 665, 11, pp.15-18, (2011), H. Endo, T. Chiba, K. Meguro, K. Takahashi, M. Fujisawa, S. Sugimura, S. Narita, Y. Kashiwaba, E. Sato 6 Mcps photon-counting X-ray computed tomography system using a 25 mm/s-scan linear LSO–MPPC detector and its application to gadolinium imaging, Radiation Physics and Chemistry, 80, 12, pp.1327-1332, (2011), E. Sato, Y. Oda, A. Abudurexiti, O. Hagiwara, H. Matsukiyo, A. Osawa, T. Enomoto, M. Watanabe, S. Kusachi, S. Sugimura, H. Endo, S. Sato, A. Ogawa, J. Onagawa Optical properties of three sectors in a zinc-oxide single crystal grown under hydrothermal process, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 654, 1, pp.314-317, (2011), S. Sugimura, H. Endo, Y. Kashiwaba, E. Sato Mcps-range photon-counting X-ray computed tomography system utilizing an oscillating linear-YAP(Ce) photon detector, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 643, 1, pp.69-74, (2011), Y. Oda, E. Sato, A. Abudurexiti, O. Hagiwara, A. Osawa, H. Matsukiyo, T. Enomoto, M. Watanabe, S. Kusachi, S. Sugimura, H. Endo, S. Sato, A. Ogawa, J. Onagawa ZnO radiation sensors using hydrothermally grown ZnO single crystal, The 29th International Congress on High-Speed Imaging and Photonics, (2010), H. Endo, T. Chiba, K. Meguro, K. Takahashi, M. Fujisawa, S. Sugimura, S. Narita, E. Sato, Y. Kashiwaba Homoepitaxial growth of high-quality nonpolar ZnO films by MOCVD and evaluation of the homoepitaxial ZnO films by XRD measurement for asymmetric planes, Physica Status Solidi c、206、5、pp.944-947, (2009), Y. Kashiwaba, T. Abe, A. Nakagawa, H. Endo, I. Niikura, Y. Kashiwaba Fabrication and Characteristics of a Pt/MgxZn1-xO Schottky Photodiode on a ZnO Single Crystal, Physica Status Solidi c, 5, 9, pp.3119-3121, (2008), H. Endo, M. Sugibuchi, K. Takahashi, S. Goto, K. Hane and Y. Kashiwaba High-Sensitivity Mid-Ultraviolet Pt/Mg0.59Zn0.41O Schottky Photodiode on a ZnO Single Crystal Substrate, Applied Physics Express, 1, 051201, (2008), H. Endo, M. Kikuchi, M. Ashioi, Y. Kashiwaba, K. Hane and Y. Kashiwaba Schottky Ultraviolet Photodiode using A ZnO Hydrothermally Grown Single Crystal, Applied Physics Letters, 90, 121906, (2007), H. Endo, M. Sugibuchi, K. Takahashi, S. Goto, S. Sugimura, K. Hane and Y. Kashiwaba Fabrication and Characterization of Schottky Barrier Diode Type Ultraviolet Sensor using ZnO Single Crystal, IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines, 127, 3, pp.127-131, (2007), H. Endo, M. Sugibuchi, K. Takahashi, S. Goto, T. Hasegawa, E. Ohshima, K. Meguro, K. Hane and Y. Kashiwaba 特許 圧電素子 （特願2020-196563） 紫外線センサ素子及びその製造方法 （特許第5540175号） 圧力センサ素子 （特許第5994135号） グロープラグ （特願2011-18714） 半導体放射線検出器 （特願2008-89432） 複数の紫外線センサを備える装置 （特許第4806812号） 圧力センサ素子及び圧力センサ （特許第5256423号） 光起電力型紫外線センサ （特許第5109049号） 紫外線センサ素子及びその製造方法 （特許第5190570号） 超伝導硼化マグネシウム薄膜の製造方法 （特許第5055554号） Thermopile Infrared Sensor and Process for Producing the Same （US6348650） Infrared sensor and infrared detector （US5962854） Thin-film Temperature Sensor （US5798684） 誘導加熱調理器の放射温度検知装置および該装置用演算装置 （公開2004-063451） サーモパイル型赤外線センサ及びその製造方法 （特許第4511676号） 着霜検知器 （特開平11-094437） 赤外線センサ （特開平10-318829） 赤外線センサ及び赤外線検出器 （特開平09-329499） 赤外線検出器 （特開平08-278192） 薄膜温度センサ及びその製造方法 （特許第3494747号） 薄膜サーミスタ （特許第3312752号）
